所謂活性碳恒溫吸附曲線(xiàn)(adsorptionisotherm)是指定溫下，某氣體之吸附量與壓力(或平衡濃度)達到平衡時(shí)(Ps為吸附物分壓，而P0為在相同溫度下之飽和壓力)，將吸附量對正�；瘔毫/P0之關(guān)係所繪製成之曲線(xiàn)圖。不過(guò)等溫線(xiàn)的型式也隨吸附劑性質(zhì)不同而有所差異，許多學(xué)者研究了不同的氣體被活性碳吸附劑吸附后，呈現各種不同型態(tài)之曲線(xiàn)，Brunaur,Deming,Deming和Teller(簡(jiǎn)稱(chēng)BDDT)首先于1940年將其歸類(lèi)為五種形式，不過(guò)無(wú)論是哪一種型式，其蒸氣吸附量是隨著(zhù)蒸氣分壓上升而增加，然后在某一點(diǎn)達到單層完全吸附之量，再漸漸成為多層覆蓋，終至轉變成為凝結相，之后Gregg更將其細分為六種形式(圖六)。
TypeⅠ：為L(cháng)angmuir吸附，具有以微孔為主之物質(zhì)所產(chǎn)生，例如沸石(Zeolite)活性碳等均屬于此類(lèi)。會(huì )產(chǎn)生此種現象乃是由于相對壓力值遠小于1時(shí)，已將所有孔隙填滿(mǎn)，故漸近線(xiàn)代表之值是相對于微孔隙的體積，而不是單層吸附量。一般來(lái)說(shuō)，化學(xué)吸附會(huì )產(chǎn)生此類(lèi)型之等溫吸附曲線(xiàn)。
TypeⅡ：此類(lèi)通常稱(chēng)為Sigmoid或S型恒溫吸附曲線(xiàn)，這種型式的恒溫線(xiàn)常發(fā)生在無(wú)孔性結構物質(zhì)。在Ps/P0值趨近于1時(shí)會(huì )產(chǎn)生毛細及孔隙冷凝(Capillaryandporecondensation)之物理吸附現象。而圖中曲線(xiàn)中之B點(diǎn)則表示單層之完全覆蓋量為多層分子吸附，屬于無(wú)孔隙或大于大孔之物質(zhì)所產(chǎn)生。
TypeⅢ：為單層分子吸附尚未完成前，即產(chǎn)生多層分子吸附，此現象是由于吸附質(zhì)間的吸引力，大于對吸附劑之吸引力所致。屬于非多孔性之物質(zhì)所產(chǎn)生。
TypeⅣ：當Ps/P0值(0.1至0.3)狠低時(shí)(為單層分子吸附)，其圖形即與第二種吸附型式相似。若當Ps/P0值升高時(shí)，孔洞中就會(huì )發(fā)生毛細管凝結(Capillarycondensation)情形，使吸附量迅速增高(為多層分子吸附)產(chǎn)生hysteresisloops現象，屬于具有以活性碳中孔為主之物質(zhì)所產(chǎn)生。
一般工業(yè)上使用之吸附劑，常屬于這種類(lèi)型的活性碳，其孔洞凝結曲線(xiàn)可用來(lái)分析孔徑分佈。
TypeⅤ：與TypeⅢ相同，但是屬于具有微孔或中孔為主之物質(zhì)所產(chǎn)生。
TypeⅥ：屬階段式等溫吸附曲線(xiàn)，形成一層層完整的吸附層，通常為非常均相及無(wú)孔隙之物質(zhì)所產(chǎn)生。
活性炭吸附是一種極為復雜的界面化學(xué)現象，與吸附劑表面對吸附質(zhì)之親和力作用有關(guān)�；钚蕴嘉劫|(zhì)恒溫吸附曲線(xiàn)可以提供下列重要訊息：
(1)了解吸附質(zhì)之吸附特性。
(2)獲得平衡吸附量，可藉以評估活性炭吸附劑之使用量。
(3)改變吸附質(zhì)濃度獲得相對應之吸附量，亦即當吸附質(zhì)濃度改變時(shí)，其對吸附過(guò)程之影響。
此外，活性碳恒溫吸附模式常被用來(lái)描述氣體吸附于固體表面之現象。Langmuir于1918年提出一理論描述氣體分子吸附在固體表面之現象，Langmuirisotherm方程式是描述單層吸附(monolayeradsorption)最重要的模式，而該吸附理論目前已成功運用在許多實(shí)際的吸附程序中。此方程式適用于較低濃度之溶液，而在溶液濃度較高時(shí)則不適用。
Freundlichisotherm方程式係由Freundlich于1907年所提出，他發(fā)現在不同濃度下，單位質(zhì)量吸附劑之吸附量與溶劑濃度之比例并非為一常數，因此為符合實(shí)驗數據便提出一經(jīng)驗式，此方程式不遵守Langmuir方程式，適用于高濃度吸附現象之描述，對低濃度則較不符合實(shí)際的吸附現象，此與Langmuirisotherm方程式之適用范圍恰好相反。
Brunauer,Emmett和Teller曾于1938年針對氣體的多層吸附開(kāi)發(fā)出一套新的吸附模式，且該模式已成功應用于許多實(shí)驗數據之描述。BETisotherm方程式與Langmuirisotherm方程式類(lèi)似，皆假設吸附劑表面有一般及局部吸附位置，而某一位置之吸附并不影響鄰近位置的吸附效應，此外亦假設吸附熱控制第一層之吸附，被吸附物之凝結熱則控制其他各層之吸附。
Toth吸附方程式則是Toth于1962年所提出，發(fā)現在均勻的吸附表面時(shí)，可由Langmuir方程式來(lái)表示，而在非均勻的吸附表面時(shí)，可由Freundlich方程式來(lái)表示。RedlichandPetersonisotherm方程式則是結合Freundlichisotherm受低濃度之限制和Langmuirisotherm受高濃度之限制，而提出較合理的經(jīng)驗方程式。茲將上述恒溫吸附模式及相關(guān)系數整理